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发明授权
CN100342553C 电器件及其制造方法 失效 - 权利终止

电器件及其制造方法
摘要：
提供具有随电压变化的电容的电器件(10)，包括半导体材料的第一区(12)及形成于第一区中的半导体材料的第二区(13)和第三区(14)，第二和第三区通过隔离区隔离；形成于第一区上至少对应于隔离区的区处的电绝缘层(15)；形成于绝缘层上至少对应于隔离区的区处的基本导电元件(16)，以便该绝缘层电绝缘基本导电元件与第一、第二和第三区；与基本导电元件连接的第一电极(17)；与第二和第三区连接的第二电极(18)。并公开了器件的制造方法。
公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/86 ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/92 ...有电位跃变势垒或表面势垒的电容器
H01L29/93 ....电容量可变的二极管，例如变容二极管
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