Invention Grant
- Patent Title: 一种P-Si中间合金及其制备方法
- Patent Title (English): P-si intermediate alloy and preparing method
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Application No.: CN200610042395.7Application Date: 2006-02-17
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Publication No.: CN100348761CPublication Date: 2007-11-14
- Inventor: 刘相法 , 刘相俊 , 刘相义
- Applicant: 刘相法
- Applicant Address: 山东省济南市历下区经十路73号
- Assignee: 刘相法
- Current Assignee: 刘相法
- Current Assignee Address: 山东省济南市历下区经十路73号
- Agency: 济南金迪知识产权代理有限公司
- Agent 周慰曾
- Main IPC: C22C30/00
- IPC: C22C30/00 ; C22C19/00 ; C22C22/00 ; C22C1/03

Abstract:
本发明涉及一种用于细化Al-Si合金中初晶硅和Mg-Si合金中Mg2Si的P-Si中间合金及其制备方法。该中间合金的化学组成为(wt%):硅40.0-70.0,磷8.0-25.0,余为镍、锰中的至少一种。制备步骤是:在高温熔炼炉中将纯硅与纯镍或纯锰中的至少一种合金原料熔化,在氩气或氮气保护的低温保温炉中将赤磷加热至450-520℃左右,通过输磷管将磷蒸气连通到硅合金熔体底部,并搅拌合金熔体,促使磷溶解于该熔体中。然后,直接浇注成锭或雾化制粉。该中间合金具有密度小、熔点低和使用时细化效果好等优点。
Public/Granted literature
- CN1814840A 一种P-Si中间合金及其制备方法 Public/Granted day:2006-08-09
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