发明授权
CN100401533C 光伏型红外探测器碲镉汞材料离子注入剂量优化方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 光伏型红外探测器碲镉汞材料离子注入剂量优化方法
- 专利标题(英): Ion injectivity optimizing method for photovoltaic infrared detector tellerium-cadmium-mercury materials
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申请号: CN200510122955.5申请日: 2005-12-06
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公开(公告)号: CN100401533C公开(公告)日: 2008-07-09
- 发明人: 陈贵宾 , 陆卫 , 全知觉 , 王少伟 , 李志锋
- 申请人: 淮阴师范学院 , 中国科学院上海技术物理研究所
- 申请人地址: 江苏省淮安市交通路71号
- 专利权人: 淮阴师范学院,中国科学院上海技术物理研究所
- 当前专利权人: 淮阴师范学院,中国科学院上海技术物理研究所
- 当前专利权人地址: 江苏省淮安市交通路71号
- 代理机构: 淮安市科文知识产权事务所
- 代理商 陈静巧
- 主分类号: H01L31/18
- IPC分类号: H01L31/18 ; H01L21/66
摘要:
本发明提供了一种光伏型红外探测器碲镉汞材料离子注入剂量优化方法。本发明采用分子束外延技术,以同一块碲镉汞薄膜材料为基底,进行硼(B)离子注入。其主要工艺为:设置阻挡层;在阻挡层上规律地光刻出注入区;制作多块刻有镂空区的掩膜板;将不同的掩膜板依次分别叠加在阻挡层上,不同掩膜板露出阻挡层的光刻出的不同注入区,调整不同的离子剂量叠加式向覆有掩膜板、阻挡层的碲镉汞基底进行注入,最终获得系列单元的p-n结。测量后,得到不同单元的电压-电流特性曲线和零偏微分电阻值R0。经比较获得最优的离子注入剂量。本方法大大提高了不同参数的单元间的可比性,有利于对影响探测器性能的参数进行系统研究,试验成本低、节省了时间和精力,使优化研究更方便。
公开/授权文献
- CN1812140A 光伏型红外探测器碲镉汞材料离子注入剂量优化方法 公开/授权日:2006-08-02