发明授权
CN100456499C 薄膜晶体管及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 薄膜晶体管及其制造方法
- 专利标题（英）： Thin film transistor and method for manufacturing same
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申请号： CN200480020581.X申请日： 2004-07-15
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公开(公告)号： CN100456499C公开(公告)日： 2009-01-28
- 发明人: 竹内孝之 , 七井识成
- 申请人： 松下电器产业株式会社
- 申请人地址： 日本大阪
- 专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪
- 代理机构： 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳
- 优先权： 275895/2003 2003.07.17 JP
- 国际申请： PCT/JP2004/010436 2004.07.15
- 国际公布： WO2005/008785 JA 2005.01.27
- 进入国家日期： 2006-01-17
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L21/336 ; H01L51/00
摘要：
本发明的薄膜晶体管，是具有半导体层(4)、和在该半导体层上相互分离地设置的源极区域(5)、漏极区域(6)和栅极区域(2)的薄膜晶体管(100)，所述半导体层由复合材料构成，所述复合材料是在有机物半导体材料的内部分散多个至少一种无机物材料颗粒的复合材料。
公开/授权文献
- CN1823427A 薄膜晶体管及其制造方法 公开/授权日：2006-08-23
IPC分类:
