发明授权
CN100459111C 用于双衬底封装的方法和装置
失效 - 权利终止
- 专利标题： 用于双衬底封装的方法和装置
- 专利标题（英）： Method and apparatus for a dual substrate package
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申请号： CN200480027142.1申请日： 2004-09-29
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公开(公告)号： CN100459111C公开(公告)日： 2009-02-04
- 发明人: C·鲁马 , K·辛格
- 申请人： 英特尔公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 英特尔公司
- 当前专利权人： 英特尔公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 李玲
- 优先权： 10/676,883 2003.09.30 US
- 国际申请： PCT/US2004/032451 2004.09.29
- 国际公布： WO2005/034203 EN 2005.04.14
- 进入国家日期： 2006-03-20
- 主分类号： H01L23/48
- IPC分类号： H01L23/48 ; H01L21/768
摘要：
揭示了具有在其内部形成的直通通道的半导体管芯。第一导电层在所述管芯的正面形成而耦合至所述直通通道的第二导电层在所述管芯的背面形成。第一封装衬底电气耦合至所述第一导电层，而第二封装衬底电气耦合至所述第二导电层。在另一个实施例中，衬底球电气耦合至所述第一和第二封装衬底。在又一个实施例中，倒转凸起可附在所述第二封装衬底上。
公开/授权文献
- CN1853271A 用于双衬底封装的方法和装置 公开/授权日：2006-10-25
IPC分类:
