发明授权
CN100481475C 具有嵌入的半导体区的半导体器件
失效 - 权利终止
- 专利标题: 具有嵌入的半导体区的半导体器件
- 专利标题(英): Semiconductor device with embedded semiconductor regions
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申请号: CN200510097604.3申请日: 2005-08-25
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公开(公告)号: CN100481475C公开(公告)日: 2009-04-22
- 发明人: 井原久典 , 后藤浩成 , 田中长孝
- 申请人: 株式会社东芝
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 株式会社东芝
- 当前专利权人: 株式会社东芝
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 钱慰民
- 优先权: 2004-244692 2004.08.25 JP
- 主分类号: H01L27/146
- IPC分类号: H01L27/146
摘要:
一种固态图像传感器,包括:第一导电类型的阱;具有在该阱中形成的并存储从光电转换获取的电荷的第二导电类型的光电转换区;具有在阱中形成的与阱的表面分离的第二导电类型的漏极区;及通过栅极绝缘体在阱的表面上形成的栅电极,该栅电极将电荷从光电转换区传送至漏极区。另选地,一种晶体管,包括:具有第一导电类型的第一半导体区;在第一半导体区中形成的具有第二导电类型的第二和第三半导体区,所述第二和第三半导体区通过用作沟道的一部分第一半导体区相互分隔;设置第一半导体区的表面上在与沟道区接触的绝缘层;设置在绝缘层上的栅电极;且该第一导电类型包括一个设置在第一半导体区与第二和第三半导体区中至少一个之间的屏蔽半导体区,使得第二和第三半导体区中至少一个夹在屏蔽区和第一半导体区之间。
公开/授权文献
- CN1741280A 具有嵌入的半导体区的半导体器件 公开/授权日:2006-03-01
IPC分类: