发明授权
CN100498379C 一种纳秒级分辨率的X射线二极管
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种纳秒级分辨率的X射线二极管
- 专利标题(英): X ray diode of nano second class resolution
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申请号: CN200710072569.9申请日: 2007-07-25
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公开(公告)号: CN100498379C公开(公告)日: 2009-06-10
- 发明人: 程元丽 , 赵永蓬 , 朱秋石 , 王骐
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- 代理商 毕志铭
- 主分类号: G01T1/24
- IPC分类号: G01T1/24
摘要:
一种纳秒级分辨率的X射线二极管,它涉及一种X射线二极管,为了解决现有的X射线二极管的结构复杂的问题。本发明由阳极金属网、阴极金属和偏压测量电路组成,所述的阳极金属网与阴极金属相对平行设置,偏压测量电路连接阴极金属,所述的偏压测量电路由第一电阻、第二电阻和电容组成,所述的第一电阻的一端连接阴极金属和电容的一端,电容的另一端连接第二电阻的一端,第二电阻的另一端接地,第一电阻的另一端作为偏压输入端和信号输出端。本发明简化了普通X射线二极管的结构,其可在较低真空度和偏压下工作。
公开/授权文献
- CN101101335A 一种纳秒级分辨率的X射线二极管 公开/授权日:2008-01-09