发明授权
CN100511718C 纳米氧化物多孔薄膜电极及其制备方法和应用
失效 - 权利终止
- 专利标题: 纳米氧化物多孔薄膜电极及其制备方法和应用
- 专利标题(英): Nanometer oxide porous membrane electrode and preparing method and application thereof
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申请号: CN200710063117.4申请日: 2007-01-26
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公开(公告)号: CN100511718C公开(公告)日: 2009-07-08
- 发明人: 孟庆波 , 刘喜哲 , 罗艳红 , 李泓 , 陈立泉
- 申请人: 中国科学院物理研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区中关村南三街8号
- 专利权人: 中国科学院物理研究所
- 当前专利权人: 中国科学院物理研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区中关村南三街8号
- 代理机构: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司
- 代理商 高存秀
- 主分类号: H01L31/0224
- IPC分类号: H01L31/0224 ; H01L31/18 ; H01M14/00 ; H01G9/20 ; H01G9/04
摘要:
本发明涉及一种纳米氧化物多孔薄膜电极和制备方法,该薄膜电极包括在衬底上涂敷两层或两层以上的氧化物半导体薄膜组成,薄膜中有不规则孔;所述的氧化物半导体材料层的颗粒粒径为5至500纳米,薄膜厚度在1微米到50微米之间,所述的不规则孔的孔径为0.01-10纳米;薄膜孔洞率在30%至60%之间,比表面积可在40平方米/克-130平方米/克之间。薄膜的制备方法包括下述步骤:1)制备酸溶液,酸溶液的浓度为0.1-5wt%,2)制备半导体氧化物的纳米胶体浆料,3)该制备方法包括将半导体氧化物的纳米胶体浆料涂覆在衬底上,4)再在活化剂溶液中对薄膜进行活化处理。本发明制备的薄膜电极是在室温条件下制备的,大大地节约能源,该薄膜电极可用于柔性太阳能电池的光阳极。
公开/授权文献
- CN101232049A 纳米氧化物多孔薄膜电极及其制备方法和应用 公开/授权日:2008-07-30
IPC分类: