发明授权
CN100524841C GaAs/AlGaAs/InGaAs双色焦平面探测器
失效 - 权利终止
- 专利标题: GaAs/AlGaAs/InGaAs双色焦平面探测器
- 专利标题(英): GaAs/AlGaAs/InGaAs dual color focal plane detector
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申请号: CN200710040613.8申请日: 2007-05-14
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公开(公告)号: CN100524841C公开(公告)日: 2009-08-05
- 发明人: 陆卫 , 熊大元 , 李宁 , 甄红楼 , 张波 , 陈平平 , 李天信 , 李志锋 , 陈效双
- 申请人: 中国科学院上海技术物理研究所
- 申请人地址: 上海市玉田路500号
- 专利权人: 中国科学院上海技术物理研究所
- 当前专利权人: 中国科学院上海技术物理研究所
- 当前专利权人地址: 上海市玉田路500号
- 代理机构: 上海新天专利代理有限公司
- 代理商 郭英
- 主分类号: H01L31/09
- IPC分类号: H01L31/09
摘要:
本发明公开了一种GaAs/AlGaAs/InGaAs双色量子阱红外焦平面探测器,该器件采用GaAs基材料,交替生长AlGaAs势垒/GaAs量子阱/AlGaAs势垒/InGaAs量子阱/AlGaAs势垒,利用GaAs量子阱中的子带间跃迁形成长波波段的探测,利用InGaAs量子阱中的子带间跃迁形成中波波段的探测。对长波探测的GaAs量子阱,AlGaAs/InGaAs/AlGaAs层构成GaAs量子阱的势垒;对中波探测的InGaAs量子阱,AlGaAs/GaAs/AlGaAs层又构成了InGaAs量子阱的势垒,并且使AlGaAs/InGaAs/AlGaAs层的总厚度和AlGaAs/GaAs/AlGaAs层的总厚度为常规量子阱红外探测器中的一个势垒厚度,除掉了由于厚度增加使得器件的光电耦合效率下降的因素。在光电耦合方式中采用优化的二维双周期衍射光栅,在光栅刻蚀工艺中采用难度较小的浅深度刻蚀法。
公开/授权文献
- CN101055882A GaAs/AlGaAs/InGaAs双色焦平面探测器 公开/授权日:2007-10-17