发明授权
- 专利标题： (MoxNb1-x)Si2电化学表面处理提高抗氧化性能的方法
- 专利标题（英）： (MoxNb1-x)Si2 electrochemical surface treatment method for improving antioxidation property
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申请号： CN200610116285.0申请日： 2006-09-21
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公开(公告)号： CN100545322C公开(公告)日： 2009-09-30
- 发明人: 张芳 , 张澜庭 , 朱鸥 , 吴建生
- 申请人： 上海交通大学
- 申请人地址： 上海市闵行区东川路800号
- 专利权人： 上海交通大学
- 当前专利权人： 上海交通大学
- 当前专利权人地址： 上海市闵行区东川路800号
- 代理机构： 上海交达专利事务所
- 代理商 王锡麟; 张宗明
- 主分类号： C25D11/34
- IPC分类号： C25D11/34 ; C25D11/26
摘要：
本发明涉及一种材料表面处理技术领域的(MoxNb1-x)Si2电化学表面处理提高抗氧化性能的方法。本发明采用烧结的(MoxNb1-x)Si2多晶材料同时作为阳极和阴极材料，置于电解液中，在电压值为10V条件下处理5～12h，其中x＝0～0.6。本发明中(MoxNb1-x)Si2材料经阳极氧化处理后，其抗氧化性能相对未处理前多晶样品和单晶样品在1023K时有明显提高。与添加合金元素或高温氧化相比，此方法工艺操作简单，成本低廉。
公开/授权文献
- CN1936100A (MoxNb1－x)Si2电化学表面处理提高抗氧化性能的方法 公开/授权日：2007-03-28
