发明授权
- 专利标题： 半导体器件制造方法及半导体器件
- 专利标题（英）： Method for the manufacture of a semiconductor device and a semiconductor device obtained through it
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申请号： CN200580045283.0申请日： 2005-12-19
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公开(公告)号： CN100557822C公开(公告)日： 2009-11-04
- 发明人: 尤瑞·V·诺乌里夫 , 约西尼·J·G·P·卢
- 申请人： NXP股份有限公司
- 申请人地址： 荷兰艾恩德霍芬
- 专利权人： NXP股份有限公司
- 当前专利权人： NXP股份有限公司,申请人
- 当前专利权人地址： 荷兰艾恩德霍芬
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 朱进桂
- 优先权： 04107021.0 2004.12.28 EP
- 国际申请： PCT/IB2005/054307 2005.12.19
- 国际公布： WO2006/070310 EN 2006.07.06
- 进入国家日期： 2007-06-28
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L21/336
摘要：
具有衬底和硅半导体本体(2)的半导体器件(10)，包括场效应管，在沟道区(5)位置处的第一表面上形成第一栅极电介质(6A)，并且在第一表面上形成第一栅极(7)，从本体(2)的第一侧面通过第一栅极并且在第一栅极两侧上执行凹陷离子注入(20)，注入导致与在远离第一栅极(6A)的沟道区的截面中的第一栅极两侧上的硅相比、第一栅极下面的硅性质的变化，并且通过使用硅性质变化的选择性刻蚀在本体(2)的第二表面上设置了腔体(30)。将第二栅极电介质(6B、8)沉积在的腔体中。在离子注入前，将掩模(M1)按一定距离形成于在栅电极的两侧上，在离子注入之后在掩模(M1)位置处获得硅性质的变化。
公开/授权文献
- CN101095237A 半导体器件制造方法及半导体器件 公开/授权日：2007-12-26
IPC分类:
