发明授权
CN100581775C 高压结晶成长装置及其相关方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 高压结晶成长装置及其相关方法
- 专利标题(英): High pressure crystal growth apparatuses and associated methods
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申请号: CN200580007650.8申请日: 2005-01-12
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公开(公告)号: CN100581775C公开(公告)日: 2010-01-20
- 发明人: 宋健民
- 申请人: 宋健民
- 申请人地址: 中国台湾台北县
- 专利权人: 宋健民
- 当前专利权人: 宋健民
- 当前专利权人地址: 中国台湾台北县
- 代理机构: 中国商标专利事务所有限公司
- 代理商 万学堂
- 优先权: 10/757,715 2004.01.13 US; 10/775,042 2004.02.06 US
- 国际申请: PCT/US2005/001268 2005.01.12
- 国际公布: WO2005/067530 EN 2005.07.28
- 进入国家日期: 2006-09-11
- 主分类号: B29C43/02
- IPC分类号: B29C43/02 ; C30B1/00
摘要:
一种经改良的高压装置(10)可包括多个互补式组合模模组(die segments)(12,14)。所述组合模模组可具有多个内表面(16)用以在装配组合模模组(12,14)时形成一个模腔(20)。可定位一对砧体(anvil)(70,72)以使得在模腔(20)的每一端各有一砧体。为了防止组合模模组(12,14)在砧体(70,72)运动时被分开,可将施力构件(21,23)连接至所述组合模模组。在该对砧体(70,72)施力期间,所述施力构件(21,23)可向组合模模组(12,14)施加离散力(17,19)以大体上将组合模模组相对于彼此保持在固定位置。使用这种高压装置可实现高达10Gpa的压力,同时改善了模具的有效寿命且增加了反应体积。本发明独特的分裂组合模设计对每一单个晶体温度和生长条件具有特别显著的效果和控制。
公开/授权文献
- CN1929982A 高压结晶成长装置及其相关方法 公开/授权日:2007-03-14