Invention Grant
- Patent Title: 复合多模式等离子体表面处理装置
- Patent Title (English): Composite multi-mode plasma surface processing device
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Application No.: CN200710144856.6Application Date: 2007-12-19
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Publication No.: CN100584991CPublication Date: 2010-01-27
- Inventor: 田修波 , 杨士勤
- Applicant: 哈尔滨工业大学
- Applicant Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- Assignee: 哈尔滨工业大学
- Current Assignee: 辽宁北宇真空科技有限公司
- Current Assignee Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- Agency: 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- Agent 岳泉清
- Main IPC: C23C14/00
- IPC: C23C14/00 ; C23C14/35 ; C23C14/48

Abstract:
复合多模式等离子体表面处理装置,它涉及一种等离子体表面处理装置。针对复合表面处理工艺处理工件,工件需要在两种不同的设备上进行不同的工艺处理,工件在中间环节时暴露在大气中,形成不利的杂质,影响最终膜层性能的问题。磁控溅射靶(4)、真空阴极弧源(14)、金属离子注入源(11)、低能离子源(5)和泵组(13)固装在真空室(1)的外壁上,真空室(1)内固装有射频天线(6),中心电极(9)的上端穿过密封绝缘件(8)装在真空室(1)内,下端与脉冲偏压电源(10)连接,高压靶台(7)固定在中心电极(9)上,真空室上盖(2)与气动装置(12)连接。本发明通过多种粒子产生手段,工件可以获得较厚的膜层,也可以获得膜层种类多样化,提高膜基结合力,实现异型工件的表面处理和多种工艺复合。
Public/Granted literature
- CN101187004A 复合多模式等离子体表面处理装置 Public/Granted day:2008-05-28
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IPC分类: