发明授权
CN100586901C 氧化镧掺杂氧化钇坩埚及其采用热压烧结制坩埚的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 氧化镧掺杂氧化钇坩埚及其采用热压烧结制坩埚的方法
- 专利标题(英): Yttrium oxide doping lanthanum oxide crucible and producing method thereof by using hot pressing sintering
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申请号: CN200810101789.4申请日: 2008-03-12
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公开(公告)号: CN100586901C公开(公告)日: 2010-02-03
- 发明人: 徐惠彬 , 高明 , 龚路杰 , 唐晓霞 , 张虎
- 申请人: 北京航空航天大学
- 申请人地址: 北京市海淀区学院路37号
- 专利权人: 北京航空航天大学
- 当前专利权人: 北京航空航天大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区学院路37号
- 代理机构: 北京永创新实专利事务所
- 代理商 周长琪
- 主分类号: C04B35/66
- IPC分类号: C04B35/66 ; C04B35/50 ; C04B35/622 ; C22B9/04
摘要:
本发明公开了一种氧化镧掺杂氧化钇坩埚及其采用热压烧结制坩埚的方法,氧化镧掺杂氧化钇坩埚的成分为每10g的氧化钇Y2O3中掺杂有0.2~1.2g的氧化镧。在用于热压烧结的氧化钇Y2O3粒径为0.01~20μm,氧化镧La2O3粒径为0.01~20μm。本发明氧化镧掺杂氧化钇坩埚使用温度为1600~2000℃,且在该温度环境下作为真空熔炼的器具,坩埚内表面未参与活性金属或合金的反应,从而提高了熔体的纯净度。
公开/授权文献
- CN101239831A 氧化钇掺杂氧化镧坩埚及其采用热压烧结制坩埚的方法 公开/授权日:2008-08-13