半导体器件及其制造方法

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专利标题： 半导体器件及其制造方法
专利标题（英）： Semiconductor device and manufacureing method thereof
申请号： CN200480015225.9

申请日： 2004-06-17
公开(公告)号： CN100587925C

公开(公告)日： 2010-02-03
发明人: 查尔斯·布莱克 , 凯思琳·瓜里尼
申请人： 国际商业机器公司
申请人地址： 美国纽约
专利权人： 国际商业机器公司
当前专利权人： 国际商业机器公司
当前专利权人地址： 美国纽约
代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理商 屠长存
优先权： 10/465,797 2003.06.20 US
国际申请： PCT/EP2004/051155 2004.06.17
国际公布： WO2004/114389 EN 2004.12.29
进入国家日期： 2005-12-06
主分类号： H01L21/336
IPC分类号： H01L21/336 ; H01L21/8246 ; H01L21/8247 ; H01L27/115 ; H01L29/788 ; H01L29/792

摘要：

一种用于场效应晶体管(150)的浮栅(156)(和其制造方法和形成均匀纳米颗粒阵列的方法)包括多个离散纳米颗粒(156)，其中纳米颗粒的尺寸、间隔和密度中的至少之一被自组装材料做模板和限定。

摘要（英）：

A floating gate for a field effect transistor (and method for forming the same and method of forming a uniform nanoparticle array), includes a plurality of discrete nanoparticles in which at least oneof a size, spacing, and density of the nanoparticles is one of templated and defined by a self-assembled material.

公开/授权文献

CN1799131A 具有包括半导体纳米晶体的浮栅的非易失存储器件公开/授权日：2006-07-05

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334	....制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335	.....场效应晶体管
H01L21/336	......带有绝缘栅的