发明授权
CN100588898C 对微电子电路的计量表征
失效 - 权利终止
- 专利标题: 对微电子电路的计量表征
- 专利标题(英): Metrological characterization of microelectronic circuits
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申请号: CN200580047167.2申请日: 2005-12-22
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公开(公告)号: CN100588898C公开(公告)日: 2010-02-10
- 发明人: A·德马蒂诺 , B·德雷维翁
- 申请人: 综合工科学校 , 科学研究国家中心
- 申请人地址: 法国帕莱索塞德科斯
- 专利权人: 综合工科学校,科学研究国家中心
- 当前专利权人: 综合工科学校,科学研究国家中心
- 当前专利权人地址: 法国帕莱索塞德科斯
- 代理机构: 北京市中咨律师事务所
- 代理商 杨晓光; 于静
- 优先权: 0453231 2004.12.24 FR
- 国际申请: PCT/FR2005/051130 2005.12.22
- 国际公布: WO2006/070161 FR 2006.07.06
- 进入国家日期: 2007-07-24
- 主分类号: G01B11/06
- IPC分类号: G01B11/06 ; G01J4/00 ; G01N21/21
摘要:
本发明涉及一种平面对象的偏振测量方法和装置,该平面对象具有规则重复的图形并形成栅格线。基于本发明的方法,在入射角θ1以及第一方位角φ1下在零阶进行第一测量,在入射角θ2以及第二方位角φ2下在零阶进行第二测量,对入射光束的偏振态进行调制,并且对每次测量分析反射光束的偏振态,对真实对象的模型对象计算理论偏振测量数据,该模型对象包括利用电磁学理论可调节的参数。通过对于可调节参数的不同值将测量值与理论偏振测量数据反复进行比较来表征对象。
公开/授权文献
- CN101107495A 对微电子电路的计量表征 公开/授权日:2008-01-16