发明授权
- 专利标题: 用于电致发光显示器的低焙烧温度的厚膜介电层
- 专利标题(英): Low firing temperature thick film dielectric layer for electroluminescent display
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申请号: CN02825726.X申请日: 2002-12-16
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公开(公告)号: CN100589672C公开(公告)日: 2010-02-10
- 发明人: 李武 , 吴承熙 , 杨迈之 , 吴兴炜 , 李成义 , 丹尼尔·J·西尔 , 威廉·M·斯迈 , 叶羽丰 , 张辉
- 申请人: 伊菲雷知识产权公司
- 申请人地址: 加拿大安大略省
- 专利权人: 伊菲雷知识产权公司
- 当前专利权人: 加拿大艾伯塔省
- 当前专利权人地址: 加拿大安大略省
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 郭国清; 樊卫民
- 优先权: 60/341,790 2001.12.21 US
- 国际申请: PCT/CA2002/001932 2002.12.16
- 国际公布: WO2003/056879 EN 2003.07.10
- 进入国家日期: 2004-06-21
- 主分类号: H05B33/10
- IPC分类号: H05B33/10 ; H05B33/14 ; C03C8/16
摘要:
本发明涉及一种用于电致发光显示器的低焙烧温度的复合厚膜介电层。该复合厚膜介电层包括:(a)厚膜组合物的下部区域层,它包括:铌镁酸铅(PMN)、铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)、钛酸铅、钛酸钡和氧化铅中的一种或多种;含有氧化铅、氧化硼以及二氧化硅的玻璃粉组合物;(b)上部区域,它包括锆钛酸铅(PZT)和/或钛酸钡的至少一层,以及(c)含有(a)和(b)复合层的中间复合区域。
公开/授权文献
- CN1606897A 用于电致发光显示器的低焙烧温度的厚膜介电层 公开/授权日:2005-04-13