发明授权
CN100595878C 半导体堆叠管芯/晶片构造和封装及其方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 半导体堆叠管芯/晶片构造和封装及其方法
- 专利标题(英): Semiconductor stacked die/wafer configuration and packaging and method thereof
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申请号: CN200680033654.8申请日: 2006-08-30
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公开(公告)号: CN100595878C公开(公告)日: 2010-03-24
- 发明人: S·K·波兹德 , S·M·阿拉姆 , R·E·琼斯
- 申请人: 飞思卡尔半导体公司
- 申请人地址: 美国得克萨斯
- 专利权人: 飞思卡尔半导体公司
- 当前专利权人: 飞思卡尔半导体公司
- 当前专利权人地址: 美国得克萨斯
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 郭放
- 优先权: 11/226,025 2005.09.14 US
- 国际申请: PCT/US2006/034319 2006.08.30
- 国际公布: WO2007/035234 EN 2007.03.29
- 进入国家日期: 2008-03-13
- 主分类号: H01L21/00
- IPC分类号: H01L21/00
摘要:
本发明提供一种允许晶片上堆叠的晶片(120,122)或管芯(154)使用同一设计或仅改变一些层(例如,金属互连层)的设计的倒易对称性设计。翻转或旋转一个管芯或晶片允许堆叠的管芯彼此相互具有倒易取向,这可以用于减少垂直地堆叠的管芯和/或晶片之间的互连(270-279,89-80)。翻转和/或旋转还可以在晶片和/或管芯被堆叠时被用于改善散热。堆叠晶片或管芯然后可以被封装。
公开/授权文献
- CN101283438A 半导体堆叠管芯/晶片构造和封装及其方法 公开/授权日:2008-10-08