发明授权
CN100596251C 发光元件及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 发光元件及其制造方法
- 专利标题(英): Light emitting component and method for manufacturing same
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申请号: CN200480027991.7申请日: 2004-09-24
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公开(公告)号: CN100596251C公开(公告)日: 2010-03-24
- 发明人: 池田寿雄 , 坂田淳一郎
- 申请人: 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 沙永生
- 优先权: 336295/2003 2003.09.26 JP
- 国际申请: PCT/JP2004/014412 2004.09.24
- 国际公布: WO2005/031798 EN 2005.04.07
- 进入国家日期: 2006-03-27
- 主分类号: H05B33/10
- IPC分类号: H05B33/10 ; H05B33/14 ; H05B33/22
摘要:
本发明披露了一种能在低驱动电压下工作,并且与传统的发光元件相比具有较长使用期的发光元件以及这种发光元件的制造方法。披露的发光元件在一对电极之间含有复合层;复合层中至少有一层含有选自半导体氧化物、金属氧化物的化合物以及具有较高空穴输送性质的化合物。这种发光元件能抑制含有一种选自半导体氧化物、金属氧化物的化合物以及具有较高空穴输送性质的化合物的层的结晶。由此,可以延长发光元件的使用寿命。
公开/授权文献
- CN1860829A 发光元件及其制造方法 公开/授权日:2006-11-08