发明授权
CN1007292B 形成在绝缘材料上的静电潜象无损读出的方法及装置
失效 - 权利终止
- 专利标题： 形成在绝缘材料上的静电潜象无损读出的方法及装置
- 专利标题（英）： NONDESTRUCTIVE READOUT OF A LATENT ELECTROSTATIC IMAGE FORMED ON AN INSULATING MATERIAL
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申请号： CN86102223申请日： 1986-04-01
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公开(公告)号： CN1007292B公开(公告)日： 1990-03-21
- 发明人: 埃米尔·卡米恩尼克基
- 申请人： 埃米尔·卡米恩尼克基
- 申请人地址： 美国马萨诸塞州列克星敦卡维尔街30号
- 专利权人： 埃米尔·卡米恩尼克基
- 当前专利权人： 埃米尔·卡米恩尼克基
- 当前专利权人地址： 美国马萨诸塞州列克星敦卡维尔街30号
- 代理机构： 中国专利代理有限公司
- 代理商 李先春; 肖掬昌
- 优先权： 719,725 1985.04.03 US
- 主分类号： G01R5/28
- IPC分类号： G01R5/28 ; G01R29/14 ; G01R29/24 ; G01T1/14
摘要：
描述了用于无损读出在绝缘材料片或层上形成的静电潜像的方法和装置。半导体材料片或层置于与绝缘材料相当接近的位置上。形成在绝缘材料上的静电潜像在半导体材料的表面生成感应产生的表面耗尽层。当用合适波长的低强度调制光束扫描半导体时，在半导体材料上积累的电荷的位置及其分布作相应于半导体材料上感生的交流表面光电压的模拟信号读出，模拟信号的大小依赖于局部电荷密度。然后将所得到的模拟电信号数字化，处理，贮存和/或显示。
公开/授权文献
- CN86102223A 形成在绝缘材料上的静电潜象的无损读出 公开/授权日：1986-11-05
