发明授权
CN101003355B 直写纳米蚀刻的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 直写纳米蚀刻的方法
- 专利标题(英): Direct write nano etching method
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申请号: CN200610138990.0申请日: 2000-01-07
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公开(公告)号: CN101003355B公开(公告)日: 2010-09-01
- 发明人: 查德·A·米尔金 , 理查德·皮纳 , 升瀚·洪
- 申请人: 西北大学
- 申请人地址: 美国伊利诺斯
- 专利权人: 西北大学
- 当前专利权人: 西北大学
- 当前专利权人地址: 美国伊利诺斯
- 代理机构: 隆天国际知识产权代理有限公司
- 代理商 吴小瑛
- 优先权: 60/115,133 1999.01.07 US; 60/157,633 1999.10.04 US
- 分案原申请号: 008039879 2000.01.07
- 主分类号: B82B3/00
- IPC分类号: B82B3/00 ; G03F7/00 ; G12B21/02
摘要:
一种直写纳米蚀刻方法,其包括提供一个固体基质;提供一个涂覆有墨水的针尖;以及使墨水从针尖传送到基质上,从而在固体基质上得到一个稳定的纳米结构,其中传送步骤是通过毛细作用使墨水从针尖流到基质上,其中墨水对基质具有化学亲和性。
公开/授权文献
- CN101003355A 直写纳米蚀刻的方法 公开/授权日:2007-07-25