发明授权
- 专利标题: 半导体激光二极管
- 专利标题(英): Semiconductor laser diode
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申请号: CN200710007716.4申请日: 2007-01-29
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公开(公告)号: CN101013794B公开(公告)日: 2011-03-16
- 发明人: 曾我部隆一 , 川口佳伸 , 神川刚
- 申请人: 夏普株式会社
- 申请人地址: 日本大阪府
- 专利权人: 夏普株式会社
- 当前专利权人: 夏普福山激光株式会社
- 当前专利权人地址: 日本大阪府
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 陶凤波
- 优先权: 021144/06 2006.01.30 JP
- 主分类号: H01S5/028
- IPC分类号: H01S5/028 ; H01S5/00
摘要:
本发明提供了一种半导体激光二极管(1),半导体激光二极管(1)包括具有有源层(5)的半导体衬底(2),在有源层(5)的两端上具有一对彼此相对的腔面(6a、6b);以及顺序堆叠在一个腔面(6a)上的氧化物的第一介电膜(3)和氮氧化物的第二介电膜(4),其具有足够的初始特性,和具有出色热辐射能力的膜结构,用于允许长时间的稳定的高输出激光发射,而不减小发射端上的灾变光学损伤水平。
公开/授权文献
- CN101013794A 半导体激光二极管 公开/授权日:2007-08-08