半导体激光二极管
摘要:
本发明提供了一种半导体激光二极管(1),半导体激光二极管(1)包括具有有源层(5)的半导体衬底(2),在有源层(5)的两端上具有一对彼此相对的腔面(6a、6b);以及顺序堆叠在一个腔面(6a)上的氧化物的第一介电膜(3)和氮氧化物的第二介电膜(4),其具有足够的初始特性,和具有出色热辐射能力的膜结构,用于允许长时间的稳定的高输出激光发射,而不减小发射端上的灾变光学损伤水平。
公开/授权文献
0/0