Invention Publication
- Patent Title: 高性能La、V共掺SrBi4Ti4O15铁电薄膜
- Patent Title (English): High performance La and V doped SrBi4Ti4O15 ferroelectric film
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Application No.: CN200610039130.1Application Date: 2006-03-28
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Publication No.: CN101020582APublication Date: 2007-08-22
- Inventor: 陈小兵 , 孙慧 , 朱骏 , 毛翔 , 方洪
- Applicant: 扬州大学
- Applicant Address: 江苏省扬州市江阳中路36号
- Assignee: 扬州大学
- Current Assignee: 扬州大学
- Current Assignee Address: 江苏省扬州市江阳中路36号
- Agency: 南京中新达专利代理有限公司
- Agent 孙鸥
- Main IPC: C01G23/00
- IPC: C01G23/00 ; C04B35/462

Abstract:
本发明涉及一种高性能La、V共掺SrBi4Ti4O15铁电薄膜。本发明在SrBi3.9La0.1Ti3.97V0.03O15铁电薄膜中La、V掺杂量分别为0.1、0.03,在267kV/cm外电场下其剩余极化(2Pr)达到46.7μC/cm2。本发明解决了现有铁电薄膜存在的如Pb(Ti,Zr)O3的抗疲劳性能差、制备有污染,SrBi2Ta2O9的剩余极化较小,Bi4Ti3O12的抗疲劳性能不好,且剩余极化不大等缺陷。本发明La掺杂增大SrBi4Ti4O15的剩余极化(2Pr),V掺杂提高其抗疲劳性能,La、V共同掺杂既增大剩余极化又提高抗疲劳性能,矫顽场低,其剩余极化(2Pr)达到46.7μC/cm2,矫顽场(Ec)仅为83kV/cm,SrBi3.9La0.1Ti3.97V0.03O15薄膜在高频和低频下极化Pnv经过2.2×109和1.3×1012次疲劳反转后几乎均无变化,表现出优良的抗疲劳性能。本发明制备工艺简单、组分控制精确,产品质量稳定可靠。
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