发明公开
- 专利标题： 多元复合稀土钨电子发射体的烧结方法
- 专利标题（英）： Method for sintering multielement composite electron emission material of rare earth tungsten
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申请号： CN200710099087.2申请日： 2007-05-11
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公开(公告)号： CN101049633A公开(公告)日： 2007-10-10
- 发明人: 聂祚仁 , 李炳山 , 胡福成 , 杨建参 , 彭鹰 , 席晓丽
- 申请人： 北京工业大学 , 北京钨钼材料厂
- 申请人地址： 北京市朝阳区平乐园100号
- 专利权人： 北京工业大学,北京钨钼材料厂
- 当前专利权人： 北京工业大学,北京钨钼材料厂
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区平乐园100号
- 代理机构： 北京思海天达知识产权代理有限公司
- 代理商 刘萍
- 主分类号： B22F3/105
- IPC分类号： B22F3/105 ; C22C1/05
摘要：
多元复合稀土钨电子发射体的烧结方法，属于稀土难熔金属材料技术领域，针对目前多元复合稀土钨电子发射体加工性能差的技术难题，改变传统提高烧结电流，追求高烧结坯条密度以追求高成品率的技术思想，通过适当降低烧结电流，将烧结坯条密度控制在17.0－17.8g/cm3，烧结后得到的多元复合稀土钨坯条组织均匀，钨晶粒为等轴晶，稀土第二相均匀分布在晶界处，这种低密度的均匀组织在后续加工过程中能够协调形变，成品率在75％以上。较传统烧结工艺制备出的坯条成品率提高20％左右。
公开/授权文献
- CN100446898C 多元复合稀土钨电子发射体的烧结方法 公开/授权日：2008-12-31
