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发明公开
CN101053150A 用于高功率的恒定电流达林顿电路 无效 - 撤回

  • 专利标题： 用于高功率的恒定电流达林顿电路
  • 专利标题（英）： Constant current darlington circuits for high power
  • 申请号： CN200580037562.2
    申请日： 2005-11-04
  • 公开(公告)号： CN101053150A
    公开(公告)日： 2007-10-10
  • 发明人: 秦玉相
  • 申请人： 秦玉相
  • 申请人地址： 韩国首尔
  • 专利权人： 秦玉相
  • 当前专利权人： 秦玉相
  • 当前专利权人地址： 韩国首尔
  • 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
  • 代理商 杨生平; 潘士霖
  • 优先权： 10－2004－0090167 2004.11.06 KR
  • 国际申请： PCT/KR2005/003729 2005.11.04
  • 国际公布： WO2006/049462 EN 2006.05.11
  • 进入国家日期： 2007-04-29
  • 主分类号： H03F3/21
  • IPC分类号： H03F3/21
用于高功率的恒定电流达林顿电路
摘要：
本发明公开了一种高功率恒定电流达林顿电路，包括输入端子，其中，恒定电流达林顿电路的基极端子(B)(第一端子)连接到晶体管(Q1)的基极，晶体管(Q1)的发射极连接到电阻器(R1)的一端和晶体管(Q2)的基极，电阻器(R1)的另一端连接到晶体管(Q3)的发射极，恒定电流达林顿电路的集电极端子(C)(第二端子)连接到晶体管(Q1)的集电极和晶体管(Q2)的集电极，晶体管(Q2)的发射极连接到恒定电压源(CV1)的一端，恒定电流达林顿电路的发射极端子(E)(第三端子)直接连接到负载(LD1)，恒定电压源(CV1)的另一端连接到电阻器(R2)的一端和晶体管(Q3)的基极，并且恒定电流达林顿电路的端子(E1)(第四端子)连接到电阻器(R2)的另一端和晶体管(Q3)的集电极，从而最小化输出端子的功率损耗，本发明还公开了一种集成了该结构的半导体设备。
摘要（英）：

Disclosed herein is a high-power constant current Darlington circuit, including an input terminal in which the base terminal (B) (a first terminal) of the constant current Darlington circuit is connected to the base of a transistor (Ql), the emitter of the transistor (Ql) being connected to one end of a resistor (Rl) and the base of a transistor (Q2), the other end of the resistor (Rl) being connected to an emitter of a transistor (Q3), the collector terminal (C) (a second terminal) of the constant current Darlington circuit connected to the collector of the transistor (Ql) and the collector of the transistor (Q2), the emitter of the transistor (Q2) being connected to one end of a constant voltage source (CVl), the emitter terminal (E) (a third terminal) of the constant current Darlington circuit directly connected to a load (LDl), the other end of the constant voltage source (CVl) being connected to one end of a resistor (R2) and the base of the transistor (Q3), and the terminal (El) (a fourth terminal) of the constant current Darlington circuit connected to the other end of the resistor (R2) and the collector of the transistor (Q3), thereby minimizing the loss of power of an output terminal, and a semiconductor device into which the construction is integrated.

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