发明授权
- 专利标题: 改进的多层聚合物结构
- 专利标题(英): Improved multilayer polymer structure
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申请号: CN200580040352.9申请日: 2005-11-23
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公开(公告)号: CN101065245B公开(公告)日: 2010-05-05
- 发明人: 科琳·布舍尔曼 , 詹姆斯·K·多蒂 , 简·德坎尼尔 , 约翰·比耶
- 申请人: 索维高级聚合物股份有限公司
- 申请人地址: 美国佐治亚州
- 专利权人: 索维高级聚合物股份有限公司
- 当前专利权人: 索维高级聚合物股份有限公司
- 当前专利权人地址: 美国佐治亚州
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 郇春艳; 郭国清
- 优先权: 05107816.0 2005.08.25 EP; 60/630,204 2004.11.24 US
- 国际申请: PCT/EP2005/056181 2005.11.23
- 国际公布: WO2006/056581 EN 2006.06.01
- 进入国家日期: 2007-05-24
- 主分类号: B32B27/30
- IPC分类号: B32B27/30 ; B32B27/34
摘要:
多层聚合物结构,该多层结构包括相邻层(L1)和(L2)的至少一个二元组(L1-L2),其中层(L1)包括至少一种聚合物组合物(C1),其包含接枝的含氟聚合物材料(M1),该含氟聚合物材料(M1)由N1种接枝的含氟聚合物(P1)组成,所述聚合物(P1)是通过包括将选自烯键式不饱和羧酸、其酯、其酸酐及其盐的至少一种接枝剂(G1)接枝到未接枝的含氟聚合物(U1)上的方法制得的,层(L2)包括至少一种聚合物组合物(C2),其包含至少一种抗冲改性剂(I2)和半晶质的芳族聚酰胺材料(M2),该材料(M2)由N2种半晶质的芳族聚酰胺聚合物(P2)组成,材料(M1)的平均熔点(Tav,1)与材料(M2)的平均熔点(Tav,2)相差最多45℃,对于j=1和j=2,Nj为材料(Mj)中聚合物(Pj)的数量,Nj≥1,Tav,j等于式(I),wi,j为材料(Mj)的第i种聚合物(Pj)的重量含量,Ti,j为材料(Mj)的第i种聚合物(Pj)的熔点,Wj为材料(Mj)的总重量含量。制造上述多层结构的方法,其包括将聚合物组合物(C1)和(C2)共挤出,从而得到相邻层(L1)和(L2)的二元组(L1-L2)。包含上述多层结构的成型制品,以及其制造方法。