- 专利标题: 形成单层纳米结构的方法和器件以及包含这种单层的器件
- 专利标题(英): Method and apparatus for forming single layer nanometer structure and apparatus comprising the said single layer
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申请号: CN200580018709.3申请日: 2005-06-07
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公开(公告)号: CN101076880B公开(公告)日: 2010-09-15
- 发明人: D·L·希尔德 , K·C·克鲁登 , 段镶锋 , 刘超 , J·W·帕斯
- 申请人: 奈米系统股份有限公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 奈米系统股份有限公司
- 当前专利权人: 沃登科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 朱黎明
- 优先权: 60/578,236 2004.06.08 US; 60/632,570 2004.11.30 US; 60/671,134 2005.04.13 US
- 国际申请: PCT/US2005/020104 2005.06.07
- 国际公布: WO2005/122235 EN 2005.12.22
- 进入国家日期: 2006-12-08
- 主分类号: H01L21/31
- IPC分类号: H01L21/31
摘要:
提供了形成纳米结构阵列或对纳米结构阵列形成图案的方法。所述方法涉及在包含纳米结构缔合基团的涂层上形成阵列,用光刻胶形成图案,和/或用器件促进形成阵列。还提供了用来形成纳米结构阵列的相关器件,以及包含纳米结构阵列的器件(例如存储器)。
公开/授权文献
- CN101076880A 形成单层纳米结构的方法和器件以及包含这种单层的器件 公开/授权日:2007-11-21
IPC分类: