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发明授权
CN101136249B 能够基于操作模式产生不同电压的电压产生电路 有权

  • 专利标题： 能够基于操作模式产生不同电压的电压产生电路
  • 专利标题（英）： Voltage generator circuit capable of generating different voltages based on operating mode of non-volatile semiconductor memory device
  • 申请号： CN200710148544.2
    申请日： 2007-08-29
  • 公开(公告)号： CN101136249B
    公开(公告)日： 2012-01-04
  • 发明人: 金镇国 , 李真烨
  • 申请人： 三星电子株式会社
  • 申请人地址： 韩国京畿道
  • 专利权人： 三星电子株式会社
  • 当前专利权人： 三星电子株式会社
  • 当前专利权人地址： 韩国京畿道
  • 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
  • 代理商 邵亚丽
  • 优先权： 10-2006-0082378 2006.08.29 KR; 11/837,207 2007.08.10 US
  • 主分类号： G11C16/30
  • IPC分类号： G11C16/30
能够基于操作模式产生不同电压的电压产生电路
摘要：
提供用于操作非易失性半导体存储器件的高电压产生电路和方法，与诸如快闪存储器之类的非易失性存储器一起使用，其用于选择性地产生不同类型的控制电压，以用于非易失性存储器件的各种操作模式。
摘要（英）：

High voltage generator circuits and methods for operating non-volatile semiconductor memory devices are provided for use with non-volatile memory such as FLASH memory devices, to selectively generate different types of control voltages for various operating modes of non-volatile memory devices.

公开/授权文献
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