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发明授权
CN101142688B 具有应变沟道区的非平面MOS结构 失效 - 权利终止

  • 专利标题： 具有应变沟道区的非平面MOS结构
  • 专利标题（英）： Non-planar mos structure with a strained channel region
  • 申请号： CN200680008711.7
    申请日： 2006-01-04
  • 公开(公告)号： CN101142688B
    公开(公告)日： 2012-05-23
  • 发明人: B·多伊尔 , S·达塔 , B·-Y·金 , R·曹
  • 申请人： 英特尔公司
  • 申请人地址： 美国加利福尼亚州
  • 专利权人： 英特尔公司
  • 当前专利权人： 英特尔公司
  • 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
  • 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
  • 代理商 周铁; 韦欣华
  • 优先权： 11/039,197 2005.01.18 US
  • 国际申请： PCT/US2006/000378 2006.01.04
  • 国际公布： WO2006/078469 EN 2006.07.27
  • 进入国家日期： 2007-09-18
  • 主分类号： H01L29/786
  • IPC分类号： H01L29/786 ;  H01L21/336
具有应变沟道区的非平面MOS结构
摘要：
实施方案是包括应变沟道区的非平面MOS晶体管结构。非平面MOS晶体管结构，尤其是NMOS三栅晶体管，和应变沟道优点的结合，使得与具有非应变沟道的非平面MOS结构或者包含应变沟道的平面MOS结构相比，就给定栅长度宽度而言，改善了晶体管驱动电流、开关速度，并减少了漏电流。
摘要（英）：

An embodiment is a non-planar MOS transistor structure including a strained channel region. The combination of a non-planar MOS transistor structure, and in particular an NMOS tri-gate transistor, with the benefits of a strained channel yields improved transistor drive current, switching speed, and decreased leakage current for a given gate length width versus a non-planar MOS structure with an unstrained channel or planar MOS structure including a strained channel.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/786 ......薄膜晶体管
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