发明授权
- 专利标题: 多端口存储设备
- 专利标题(英): Multi-port memory device
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申请号: CN200710152897.X申请日: 2007-09-21
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公开(公告)号: CN101149963B公开(公告)日: 2011-07-27
- 发明人: 金载镒 , 都昌镐 , 郑镇一 , 任才爀
- 申请人: 海力士半导体有限公司
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 海力士半导体有限公司
- 当前专利权人: 海力士半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 钱大勇
- 优先权: 91626/06 2006.09.21 KR
- 主分类号: G11C7/22
- IPC分类号: G11C7/22 ; G11C7/10
摘要:
多端口存储设备包括多个端口、多个存储体控制单元、多个存储体、读时钟产生单元和数据传输单元。每一个存储体与对应的存储体控制单元之一连接。读时钟产生单元响应读指令产生锁定四个时钟的读时钟。数据传输单元响应读时钟从存储体向对应的端口之一传输读数据。每一个存储体控制单元均与所有端口连接。
公开/授权文献
- CN101149963A 多端口存储设备的读操作 公开/授权日:2008-03-26