发明公开
- 专利标题： 半导体电力变换装置
- 专利标题（英）： Semiconductor power conversion apparatus
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申请号： CN200710162922.2申请日： 2007-09-27
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公开(公告)号： CN101154883A公开(公告)日： 2008-04-02
- 发明人: 加藤修治 , 松田敏彦 , 伊君高志 , 永田宽
- 申请人： 株式会社日立制作所
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社日立制作所
- 当前专利权人： 株式会社日立制作所
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 李贵亮
- 优先权： 2006-261653 2006.09.27 JP
- 主分类号： H02M1/32
- IPC分类号： H02M1/32
摘要：
半导体电力变换装置，IGBT被外加过电压时，也能够向IGBT的栅极供给足够的栅极电流，防止过电压损害IGBT。在IGBT的集电极·栅极之间，连接串联的钳位元件，使电阻器分别与串联的钳位元件的不同的连接点连接，从而防止过电压损害IGBT。
公开/授权文献
- CN101154883B 半导体电力变换装置 公开/授权日：2012-09-26
