- 专利标题: 获得用于具有非常短余辉的CT的Gd2O2S:Pr的方法
- 专利标题(英): Procedure to obtain Gd2O2S: Pr for ct with a very short afterglow
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申请号: CN200680013000.9申请日: 2006-04-13
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公开(公告)号: CN101163774B公开(公告)日: 2011-09-07
- 发明人: C·R·朗达 , G·泽特勒 , D·沃多 , H·韦科雷克 , H·施赖尼马彻
- 申请人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
- 申请人地址: 荷兰艾恩德霍芬
- 专利权人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
- 当前专利权人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
- 当前专利权人地址: 荷兰艾恩德霍芬
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 龚海军; 谭祐祥
- 优先权: 05103102.9 2005.04.19 EP
- 国际申请: PCT/IB2006/051157 2006.04.13
- 国际公布: WO2006/111900 EN 2006.10.26
- 进入国家日期: 2007-10-18
- 主分类号: C09K11/77
- IPC分类号: C09K11/77 ; G21K4/00
摘要:
本发明涉及具有非常短余辉的Gd2O2S:M荧光陶瓷材料,其中M代表从包含Pr、Tb、Yb、Dy、Sm和/或Ho的组合中选择的至少一个元素,Gd2O2S:M荧光陶瓷材料进一步包括:铕≤1wt.ppm,基于Gd2O2S以及铈≥0.1wt.ppm并≤100wt.ppm,基于Gd2O2S,其中铈的含量超过铕的含量,且铕对铈的比例为1∶10到1∶150。
公开/授权文献
- CN101163774A 获得用于具有非常短余辉的CT的Gd2O2S∶Pr的方法 公开/授权日:2008-04-16