获得用于具有非常短余辉的CT的Gd2O2S:Pr的方法
摘要:
本发明涉及具有非常短余辉的Gd2O2S:M荧光陶瓷材料,其中M代表从包含Pr、Tb、Yb、Dy、Sm和/或Ho的组合中选择的至少一个元素,Gd2O2S:M荧光陶瓷材料进一步包括:铕≤1wt.ppm,基于Gd2O2S以及铈≥0.1wt.ppm并≤100wt.ppm,基于Gd2O2S,其中铈的含量超过铕的含量,且铕对铈的比例为1∶10到1∶150。
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