- 专利标题： 用于形成具有空间均匀性掺杂杂质的SiC晶体的方法和系统
- 专利标题（英）： Method of and system for forming sic crystals having spatially uniform doping impurities
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申请号： CN200680013157.1申请日： 2006-04-18
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公开(公告)号： CN101163824A公开(公告)日： 2008-04-16
- 发明人: 阿维纳什·K·古普塔 , 爱德华·西门纳斯 , 伊利娅·茨维巴克 , 多诺万·L·巴雷特 , 安德鲁·E·苏奇兹
- 申请人： II-VI有限公司
- 申请人地址： 美国宾夕法尼亚州
- 专利权人： II-VI有限公司
- 当前专利权人： 贰陆先进材料有限责任公司
- 当前专利权人地址： 美国宾夕法尼亚州
- 代理机构： 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 丁业平; 张天舒
- 优先权： 60/672,945 2005.04.19 US; 11/405,368 2006.04.17 US
- 国际申请： PCT/US2006/014463 2006.04.18
- 国际公布： WO2006/113657 EN 2006.10.26
- 进入国家日期： 2007-10-19
- 主分类号： C30B29/36
- IPC分类号： C30B29/36 ; C30B23/00
摘要：
针对物理气相传输方法和系统，本发明提供了装有具有间隔开的位置关系的源材料和籽晶的生长容器。本发明还提供了至少一个皿，该皿具有至少一根在皿内部和皿外部之间延伸的毛细管，其中所述皿的内部装有掺杂剂。将各个皿放置在所述的生长容器的内部。在生长容器中装入各个皿之后，通过在生长容器中进行生长反应来利用源材料在籽晶上形成晶体，其中所形成的该晶体掺杂有所述的掺杂剂。
公开/授权文献
- CN101163824B 用于形成具有空间均匀性掺杂杂质的SiC晶体的方法和系统 公开/授权日：2011-10-19
IPC分类:
