发明公开
CN101165214A 一种分散后修饰的纳米棒阵列电极的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种分散后修饰的纳米棒阵列电极的制备方法
- 专利标题(英): Method for preparing modified nano-stick array electrode after dispensing
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申请号: CN200710072632.9申请日: 2007-08-08
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公开(公告)号: CN101165214A公开(公告)日: 2008-04-23
- 发明人: 贾铮 , 刘静 , 沈炎宾
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- 代理商 牟永林
- 主分类号: C25B11/00
- IPC分类号: C25B11/00 ; H01M4/02 ; G01N27/30
摘要:
一种分散后修饰的纳米棒阵列电极的制备方法,本发明涉及一种纳米棒阵列电极的制备方法,具体涉及模板法生长的金属纳米棒经分散后修饰的纳米棒阵列电极的制备方法。它克服了现有技术使纳米线电极丰富的电极表面积并未得到充分利用的缺陷。本发明提供的技术方案是:溶解掉模板法生长的金属纳米棒的模板,使纳米棒可以自由操纵;应用分散剂和超声处理,将纳米棒在溶剂中充分分散,避免团聚,形成单根纳米棒的分散溶液;通过调控分散溶液中纳米棒的浓度,实现以可控间距的方式将纳米棒修饰到基底电极表面上。这样形成的金属纳米棒阵列电极,可以充分利用纳米棒丰富的表面积,只需组装极少量的纳米棒即可实现超高的扩散流量和法拉第电流,具有超高的电催化活性。
公开/授权文献
- CN101165214B 一种分散后修饰的纳米棒阵列电极的制备方法 公开/授权日:2010-06-09