发明授权

三维纳米级交叉杆
摘要:
本发明的多个实施例包括三维的、至少部分为纳米级的电子电路和装置,其中可以在三个独立的方向上路由(1016)信号,并且其中可以在通过内部信号线(502-509和702-709)互连的结(510,802)处制备电子部件。所述三维的、至少部分为纳米级的电子电路和装置包括层,纳米线或微米级或亚微米级/纳米线结,其每一个可被经济和有效地制备为一种类型的电子部件。本发明的多个实施例包括纳米级存储器,纳米级可编程阵列,纳米级多路复用器和多路分离器,以及几乎不限数量的专用纳米级电路和纳米级电子部件。
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