发明授权
- 专利标题: 三维纳米级交叉杆
- 专利标题(英): Three-dimensional nanoscale crossbars
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申请号: CN200680013948.4申请日: 2006-04-25
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公开(公告)号: CN101167137B公开(公告)日: 2012-08-15
- 发明人: R·S·威廉斯 , P·J·屈克斯
- 申请人: 惠普开发有限公司
- 申请人地址: 美国德克萨斯州
- 专利权人: 惠普开发有限公司
- 当前专利权人: 慧与发展有限责任合伙企业
- 当前专利权人地址: 美国德克萨斯州
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 张雪梅; 陈景峻
- 优先权: 11/114,307 2005.04.25 US
- 国际申请: PCT/US2006/015933 2006.04.25
- 国际公布: WO2006/116552 EN 2006.11.02
- 进入国家日期: 2007-10-25
- 主分类号: G11C13/02
- IPC分类号: G11C13/02
摘要:
本发明的多个实施例包括三维的、至少部分为纳米级的电子电路和装置,其中可以在三个独立的方向上路由(1016)信号,并且其中可以在通过内部信号线(502-509和702-709)互连的结(510,802)处制备电子部件。所述三维的、至少部分为纳米级的电子电路和装置包括层,纳米线或微米级或亚微米级/纳米线结,其每一个可被经济和有效地制备为一种类型的电子部件。本发明的多个实施例包括纳米级存储器,纳米级可编程阵列,纳米级多路复用器和多路分离器,以及几乎不限数量的专用纳米级电路和纳米级电子部件。
公开/授权文献
- CN101167137A 三维纳米级交叉杆 公开/授权日:2008-04-23