发明公开
CN101170080A 用于集成半导体结构的制造方法
无效 - 撤回
- 专利标题： 用于集成半导体结构的制造方法
- 专利标题（英）： Manufacturing method for an integrated semiconductor structure
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申请号： CN200710165127.9申请日： 2007-10-29
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公开(公告)号： CN101170080A公开(公告)日： 2008-04-30
- 发明人: 帝尔·施洛瑟
- 申请人： 奇梦达股份公司
- 申请人地址： 德国慕尼黑
- 专利权人： 奇梦达股份公司
- 当前专利权人： 奇梦达股份公司
- 当前专利权人地址： 德国慕尼黑
- 代理机构： 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 章社杲; 吴贵明
- 优先权： 11/588,591 2006.10.27 US
- 主分类号： H01L21/8239
- IPC分类号： H01L21/8239 ; H01L21/8242
摘要：
本发明提供了一种用于集成半导体结构和相应半导体结构的制造方法。该方法包括以下步骤：在外围器件区域中形成外围电路，所述外围电路包括外围晶体管，所述外围晶体管至少部分地形成在所述半导体基板上并具有在第一高温处理步骤中形成的第一栅极绝缘体；在存储单元区域中形成多个存储单元，每个所述存储单元包括存取晶体管，所述存取晶体管至少部分地形成在半导体基板上并具有第二栅极绝缘体，所述第二栅极绝缘体在第二高温处理步骤中形成并具有金属栅极导体；其中，所述第一和第二高温处理步骤在形成所述金属栅极导体的步骤之前进行。