- 专利标题： 非易失性存储器件，写入数据的方法，和读出数据的方法
- 专利标题（英）： Nonvolatile memory device, method of writing data, and method of reading out data
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申请号： CN200680016090.7申请日： 2006-12-07
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公开(公告)号： CN101176074A公开(公告)日： 2008-05-07
- 发明人: 本多利行 , 宗广和 , 小来田重一 , 外山昌之 , 中村清治 , 须藤正人 , 井上学
- 申请人： 松下电器产业株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府
- 专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 王玮
- 优先权： 355907/2005 2005.12.09 JP
- 国际申请： PCT/JP2006/324449 2006.12.07
- 国际公布： WO2007/066720 JA 2007.06.14
- 进入国家日期： 2007-11-09
- 主分类号： G06F12/00
- IPC分类号： G06F12/00 ; G06F12/02
摘要：
一种非易失性存储装置(101)包括多个物理块，每个物理块设置有非易失性存储器(103)，逻辑/物理地址转换表，临时块，和临时表。非易失性存储器(103)包括多个分别作为预定写入单元的页。逻辑－物理地址转换表(106)存储物理块中存储的数据的逻辑地址与物理地址之间的对应关系信息。临时块是存储数据的物理块，所述数据的尺寸比页的尺寸小。临时表(107)存储与临时块中存储的数据有关的逻辑地址与物理地址之间的对应关系信息。
公开/授权文献
- CN101176074B 非易失性存储器件，写入数据的方法，和读出数据的方法 公开/授权日：2010-12-15
