发明授权
- 专利标题: 存储器控制器、非易失性存储装置、非易失性存储系统及数据写入方法
- 专利标题(英): Memory controller, nonvolatile storage device, nonvolatile storage system, and data writing method
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申请号: CN200680020511.3申请日: 2006-05-24
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公开(公告)号: CN101194238B公开(公告)日: 2010-05-19
- 发明人: 井上学 , 中西雅浩 , 泉智绍 , 森博范 , 真木晋弘 , 本多利行
- 申请人: 松下电器产业株式会社
- 申请人地址: 日本大阪府
- 专利权人: 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人: 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人地址: 日本大阪府
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 曲瑞
- 优先权: 184364/2005 2005.06.24 JP
- 国际申请: PCT/JP2006/310323 2006.05.24
- 国际公布: WO2007/000862 JA 2007.01.04
- 进入国家日期: 2007-12-10
- 主分类号: G06F12/16
- IPC分类号: G06F12/16 ; G06F12/02 ; G06F12/00
摘要:
本发明的存储单元使用的是保存多页数据的多值NAND快闪存储器等非易失性存储器。当向非易失性存储器110写入数据时,构成成对的且以多页为单位的物理单元。当无法写入所有物理单元时,从保存着已写入的有效数据的旧物理块中复制数据,写入新物理块内,直至物理单元的写入完成为止。由此,当下一次要写入数据时,可从新的物理单元的起始开始写入,所以可防止出错。
公开/授权文献
- CN101194238A 存储器控制器、非易失性存储装置、非易失性存储系统及数据写入方法 公开/授权日:2008-06-04