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发明授权
CN101217143B 半导体器件以及制造方法 有权 转让

半导体器件以及制造方法
摘要：
本发明的实施例提供了一种采用双应力STI的器件、方法等等。提供了一种具有这样的衬底的半导体器件，所述衬底具有第一晶体管区域和不同于所述第一晶体管区域的第二晶体管区域。所述第一晶体管区域包括PFET；以及，所述第二晶体管区域包括NFET。此外，在所述衬底中提供邻近所述第一晶体管区域和所述第二晶体管区域的侧面并位于所述第一晶体管区域与所述第二晶体管区域之间的STI区域，其中每一个所述STI区域包括压缩区域、压缩衬里、拉伸区域以及拉伸衬里。
摘要（英）：

The embodiments of the invention provide a device, method, etc. for a dual stress STI. A semiconductor device is provided having a substrate with a first transistor region and a second transistor region different than the first transistor region. The first transistor region comprises a PFET; and, the second transistor region comprises an NFET. Further, STI regions are provided in the substrate adjacent sides of and positioned between the first transistor region and the second transistor region, wherein the STI regions each comprise a compressive region, a compressive liner, a tensile region, and a tensile liner.

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