发明授权
CN101237125B 高电压发生电路、离子发生装置和电气设备
失效 - 权利终止
- 专利标题: 高电压发生电路、离子发生装置和电气设备
- 专利标题(英): High voltage generating circuit, ion generating device and electrical apparatus
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申请号: CN200810004493.0申请日: 2008-01-30
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公开(公告)号: CN101237125B公开(公告)日: 2012-06-13
- 发明人: 山下笃司 , 堀山贵史 , 池田雅和
- 申请人: 夏普株式会社
- 申请人地址: 日本大阪府大阪市
- 专利权人: 夏普株式会社
- 当前专利权人: 夏普株式会社
- 当前专利权人地址: 日本大阪府大阪市
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 王岳; 刘宗杰
- 优先权: 2007-018920 2007.01.30 JP; 2007-090219 2007.03.30 JP
- 主分类号: H02M7/48
- IPC分类号: H02M7/48 ; H01T23/00
摘要:
一种高电压发生电路,包括:升压部分(例如触发器线圈(22)),用于提升从DC电源(26)提供的DC电压,从而在次级侧提供高电压;开关元件(例如MOS FET(23)),用于导通和截止升压部分的初级侧中流动的电流;以及脉冲信号发生部分(24B),用于产生用来控制所述开关元件的导通和截止的脉冲信号。
公开/授权文献
- CN101237125A 高电压发生电路、离子发生装置和电气设备 公开/授权日:2008-08-06
IPC分类: