发明公开
- 专利标题： 图像传感器像素及其制造方法
- 专利标题（英）： Image sensor pixel and fabrication method thereof
-
申请号： CN200680028479.3申请日： 2006-08-11
-
公开(公告)号： CN101238583A公开(公告)日： 2008-08-06
- 发明人: 朴哲秀 , 李道永
- 申请人： (株)赛丽康 , 朴哲秀
- 申请人地址： 韩国首尔
- 专利权人： (株)赛丽康,朴哲秀
- 当前专利权人： (株)赛丽康,朴哲秀
- 当前专利权人地址： 韩国首尔
- 代理机构： 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司
- 代理商 余朦; 方挺
- 优先权： 10-2005-0074541 2005.08.13 KR
- 国际申请： PCT/KR2006/003164 2006.08.11
- 国际公布： WO2007/021106 EN 2007.02.22
- 进入国家日期： 2008-02-02
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146
摘要：
提供了一种CMOS图像传感器中像素的光电二极管的新型结构及其制造方法。所述光电二极管利用一个光掩模而形成，从而减少了掩模数量，简化了制造工艺。此外，构成光电二极管的两个导电层得以自对准，从而无需连接光电二极管与传输晶体管的制造工艺。因而，在传输晶体管的栅极下部产生的沟道效应问题得以解决，从而可以制造一种改进的像素。
公开/授权文献
- CN101238583B 图像传感器像素及其制造方法 公开/授权日：2010-05-19
IPC分类:
