发明授权
CN101240412B 磁控溅射设备的设计支持方法、系统和程序
失效 - 权利终止
- 专利标题: 磁控溅射设备的设计支持方法、系统和程序
- 专利标题(英): Design supporting method, system, and program of magnetron sputtering apparatus
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申请号: CN200810001868.8申请日: 2008-01-17
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公开(公告)号: CN101240412B公开(公告)日: 2010-08-25
- 发明人: 古屋笃史 , 藤崎明彦 , 久保田哲行
- 申请人: 富士通株式会社
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 富士通株式会社
- 当前专利权人: 富士通株式会社
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
- 代理商 宋鹤
- 优先权: 2007-025258 2007.02.05 JP
- 主分类号: C23C14/35
- IPC分类号: C23C14/35 ; C23C14/54
摘要:
本发明公开了一种磁控溅射设备的设计支持方法、系统和程序。读取静态磁场结构数据,在任意位置指定与溅射靶表面平行并且在其中产生等离子体的截面,并且计算穿过垂直于所指定截面中的平面的磁场为0的区域的中心的首尾相连形状的侵蚀中心线环。基于侵蚀中心线环的侵蚀率来计算在所指定的静态磁场结构数据的截面中的静态侵蚀率分布,计算随着磁体的旋转引起的旋转侵蚀率分布,并且通过使用旋转侵蚀率分布计算对象材料上的膜形成率分布。
公开/授权文献
- CN101240412A 磁控溅射设备的设计支持方法、系统和程序 公开/授权日:2008-08-13
IPC分类: