发明授权
- 专利标题: 薄硅中的光交叉区
- 专利标题(英): Optical crossover in thin silicon
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申请号: CN200580009284.X申请日: 2005-03-24
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公开(公告)号: CN101248379B公开(公告)日: 2011-06-08
- 发明人: 大卫·佩德 , 普拉卡什·约托斯卡 , 马格利特·吉龙 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 威普库马·帕特尔 , 索哈姆·帕塔克 , 卡尔潘都·夏斯特里 , 凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
- 申请人: 斯欧普迪克尔股份有限公司 , 大卫·佩德 , 普拉卡什·约托斯卡 , 马格利特·吉龙 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 威普库马·帕特尔 , 索哈姆·帕塔克 , 卡尔潘都·夏斯特里 , 凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
- 申请人地址: 美国宾夕法尼亚州
- 专利权人: 斯欧普迪克尔股份有限公司,大卫·佩德,普拉卡什·约托斯卡,马格利特·吉龙,罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里,威普库马·帕特尔,索哈姆·帕塔克,卡尔潘都·夏斯特里,凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
- 当前专利权人: 光导束公司
- 当前专利权人地址: 美国宾夕法尼亚州
- 代理机构: 北京安信方达知识产权代理有限公司
- 代理商 霍育栋; 郑霞
- 优先权: 60/555,993 2004.03.24 US; 11/089,478 2005.03.24 US
- 国际申请: PCT/US2005/009872 2005.03.24
- 国际公布: WO2005/094530 EN 2005.10.13
- 进入国家日期: 2006-09-22
- 主分类号: G02B6/12
- IPC分类号: G02B6/12 ; G02B6/10
摘要:
一种装置使用在SOI结构中的图案化几何结构,所述装置用于提供光交叉区,所述光交叉区在基于SOI结构中形成的波导之间,选择其以降低信号重叠区域中的串扰效果。优选地,光信号固定以沿正交方向传播(或具有不同的波长)以最小化串扰效果。所述SOI结构的几何结构被图案化,包括预定的锥和/或反射表面,以导引/调整传播的光信号。可形成在所述光交叉区域内的图案化波导区域,其包括叠加的多晶硅段,以进一步指引所述传播的束,以及改善所述交叉装置的耦合效率。
公开/授权文献
- CN101248379A 薄硅中的光交叉区 公开/授权日:2008-08-20