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发明授权
CN101258106B 单组分CMP浆料的氧化铈粉末及其制备方法、浆料组合物及使用该浆料的浅槽隔离方法 有权

  • 专利标题： 单组分CMP浆料的氧化铈粉末及其制备方法、浆料组合物及使用该浆料的浅槽隔离方法
  • 专利标题（英）： Cerium oxide powder for one-component CMP slurry, preparation method thereof, one-component CMP slurry composition comprising the same, and method of shallow trench isolation using the slurry
  • 申请号： CN200680032288.4
    申请日： 2006-09-01
  • 公开(公告)号： CN101258106B
    公开(公告)日： 2010-09-08
  • 发明人: 曹昇范 , 鲁埈硕 , 申东穆 , 金种珌 , 吴明焕 , 金长烈 , 崔银美 , 高敏镇
  • 申请人： LG化学株式会社
  • 申请人地址： 韩国首尔
  • 专利权人： LG化学株式会社
  • 当前专利权人： LG化学株式会社
  • 当前专利权人地址： 韩国首尔
  • 代理机构： 北京金信立方知识产权代理有限公司
  • 代理商 朱梅; 徐志明
  • 优先权： 10-2005-0081734 2005.09.02 KR; 10-2005-0097157 2005.10.14 KR
  • 国际申请： PCT/KR2006/003467 2006.09.01
  • 国际公布： WO2007/027068 EN 2007.03.08
  • 进入国家日期： 2008-03-03
  • 主分类号： C01F17/00
  • IPC分类号： C01F17/00 ;  C09K3/14
单组分CMP浆料的氧化铈粉末及其制备方法、浆料组合物及使用该浆料的浅槽隔离方法
摘要：
本发明公开了用于单组分CMP浆料的氧化铈粉末，所述氧化铈粉末的比表面积为5m2/g或更大，并且直径大于等于3nm的孔的体积分数与直径小于3nm的孔的体积分数的比为8∶2～2∶8。本发明也公开了制备上述氧化铈粉末的方法、包含上述氧化铈粉末作为研磨材料的单组分CMP浆料和采用该单组分CMP浆料的浅槽隔离的方法。所述CMP浆料使用了经低温煅烧步骤、任选的粉碎步骤和高温煅烧步骤制得的且具有高的孔体积分数和低强度的氧化铈粉末作为研磨材料，即使该CMP浆料以单组分CMP浆料形式提供，其也不会产生氧化铈粉末的沉淀。而且，所述单组分CMP浆料提供了显著减小的对氮化硅层的抛光速率和增大的氧化硅层/氮化硅层的抛光选择性。
摘要（英）：

Disclosed is cerium oxide powder for one -component CMP slurry, which has a specific surface area of 5 m2/g or more, and a ratio of volume fraction of pores with a diameter of 3 ran or more to that of pores with a diameter less than 3 ran of 8:2-2:8. A method for preparing the same, a one-component CMP slurry comprising the same as an abrasive material, and a method of shallow trench isolation using the one-component CMP slurry are also disclosed. The CMP slurry causes no precipitation of the cerium oxide powder even if it is provided as a one-component CMP slurry, because the CMP slurry uses, as an abrasive material, cerium oxide powder that is obtained via a low-temperature calcination step, optionally a pulverization step, and a high-temperature calcination step and has a high pore fraction and low strength. Also, the one- component CMP slurry provides a significantly decreased polishing rate to a silicon nitride layer and an increased polishing selectivity of silicon oxide layer/silicon nitride layer, and shows uniform polishing quality.

公开/授权文献
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