发明授权
CN101263589B 半导体装置的制造方法及半导体制造装置
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体装置的制造方法及半导体制造装置
- 专利标题（英）： Semiconductor device making method and semiconductor making device
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申请号： CN200580051562.8申请日： 2005-09-13
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公开(公告)号： CN101263589B公开(公告)日： 2010-08-25
- 发明人: 大见忠弘 , 寺本章伸 , 赤堀浩史
- 申请人： 大见忠弘
- 申请人地址： 日本国宫城县
- 专利权人： 大见忠弘
- 当前专利权人： 大见忠弘
- 当前专利权人地址： 日本国宫城县
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 李贵亮
- 国际申请： PCT/JP2005/016805 2005.09.13
- 国际公布： WO2007/032057 JA 2007.03.22
- 进入国家日期： 2008-03-13
- 主分类号： H01L21/677
- IPC分类号： H01L21/677 ; H01L21/02 ; H01L29/78 ; B65G49/00 ; B65G49/07 ; H01L21/316
摘要：
本发明通过在含有氢气的惰性气体气氛中保持晶片，抑制晶片表面的氢末端性在输送途中(20)等中变差。
公开/授权文献
- CN101263589A 半导体装置的制造方法及半导体制造装置 公开/授权日：2008-09-10