发明公开
CN101264894A 二次插层有机膨润土的制备方法
无效 - 撤回
- 专利标题: 二次插层有机膨润土的制备方法
- 专利标题(英): Method for preparing secondary intercalation organic bentonite
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申请号: CN200710188484.7申请日: 2007-11-16
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公开(公告)号: CN101264894A公开(公告)日: 2008-09-17
- 发明人: 冯辉霞 , 张国宏 , 王毅 , 邵亮 , 赵阳
- 申请人: 兰州理工大学
- 申请人地址: 甘肃省兰州市兰工坪287号
- 专利权人: 兰州理工大学
- 当前专利权人: 兰州理工大学
- 当前专利权人地址: 甘肃省兰州市兰工坪287号
- 代理机构: 兰州振华专利代理有限责任公司
- 代理商 董斌
- 主分类号: C01B33/40
- IPC分类号: C01B33/40 ; C01B33/44
摘要:
二次插层有机膨润土的制备方法,其特征在于首先将钠基膨润土进行一次过渡金属离子化,形成一次过渡金属离子插层,然后进行二次有机化,形成二次有机插层。通过阳离子交换引入过渡金属离子,有机大分子以配位键与金属离子结合,从而增大膨润土的片层间距。
IPC分类: