发明授权
- 专利标题: 形成纳米结构的方法和纳米结构
- 专利标题(英): Method of forming nanoscale structures and nanoscale structures
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申请号: CN200810083086.3申请日: 2008-03-21
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公开(公告)号: CN101269791B公开(公告)日: 2010-11-24
- 发明人: 郑雅如 , 金昊辙 , R·D·米勒
- 申请人: 国际商业机器公司
- 申请人地址: 美国纽约
- 专利权人: 国际商业机器公司
- 当前专利权人: 格芯美国第二有限责任公司
- 当前专利权人地址: 美国纽约
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 屠长存
- 优先权: 11/690,295 2007.03.23 US
- 主分类号: B82B3/00
- IPC分类号: B82B3/00 ; B82B1/00
摘要:
公开了一种形成纳米结构的方法和纳米结构。提供第一嵌段共聚物。提供具有高能中性表面层的衬底,该表面层具有至少一个整体布置在其上的沟槽,该沟槽具有侧壁。在沟槽内部形成第一嵌段共聚物的第一膜。组装第一嵌段共聚物的成线微畴,并且在第一膜内形成第一自组装结构,该第一自组装结构与侧壁垂直而与表面层平行。从第一膜中去除至少一个微畴,使得取向结构保留在沟槽中,其中该取向结构垂直于侧壁而与表面层平行。提供第二嵌段共聚物。在沟槽内形成第二嵌段共聚物的第二膜。组装第二嵌段共聚物的成线微畴,并在第二膜内形成第二自组装结构,第二自组装结构的取向为垂直于取向结构而与侧壁平行。
公开/授权文献
- CN101269791A 形成纳米结构的方法和纳米结构 公开/授权日:2008-09-24