一种掺杂半导体纳米晶及其制备方法
摘要:
本发明涉及一种掺杂半导体纳米晶及其制备方法。所述掺杂半导体纳米晶为MnSe/ZnSe/ZnS,是以Mn掺杂ZnSe半导体纳米晶为壳,其外包覆有ZnS层的核壳结构纳米晶。本发明提供的半导体纳米晶荧光峰位可覆盖范围为570-610nm,单分散性好,量子产率可达50%以上,荧光稳定性高。合成方法简单,掺杂工序简单、掺杂量便于控制,同时避免了易燃易爆药品的使用。
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