发明授权
- 专利标题: 一种掺杂半导体纳米晶及其制备方法
- 专利标题(英): Doping semi-conductor nanocrystalline and preparation thereof
-
申请号: CN200810049642.5申请日: 2008-04-25
-
公开(公告)号: CN101275077B公开(公告)日: 2011-04-27
- 发明人: 李林松 , 申怀彬
- 申请人: 河南大学
- 申请人地址: 河南省开封市明伦街85号
- 专利权人: 河南大学
- 当前专利权人: 南京紫同纳米科技有限公司
- 当前专利权人地址: 河南省开封市明伦街85号
- 代理机构: 郑州联科专利事务所
- 代理商 刘建芳
- 主分类号: C09K11/88
- IPC分类号: C09K11/88 ; C09K11/54 ; C09K11/57
摘要:
本发明涉及一种掺杂半导体纳米晶及其制备方法。所述掺杂半导体纳米晶为MnSe/ZnSe/ZnS,是以Mn掺杂ZnSe半导体纳米晶为壳,其外包覆有ZnS层的核壳结构纳米晶。本发明提供的半导体纳米晶荧光峰位可覆盖范围为570-610nm,单分散性好,量子产率可达50%以上,荧光稳定性高。合成方法简单,掺杂工序简单、掺杂量便于控制,同时避免了易燃易爆药品的使用。
公开/授权文献
- CN101275077A 一种掺杂半导体纳米晶及其制备方法 公开/授权日:2008-10-01