发明公开
- 专利标题: 非易失性存储器装置
- 专利标题(英): Non-volatile memory device
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申请号: CN200680036330.X申请日: 2006-11-02
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公开(公告)号: CN101277897A公开(公告)日: 2008-10-01
- 发明人: 罗伯特·凡·坎彭 , 罗伯特·考津齐
- 申请人: 卡文迪什动力有限公司
- 申请人地址: 英国赫特福德郡
- 专利权人: 卡文迪什动力有限公司
- 当前专利权人: QORVO美国公司
- 当前专利权人地址: 英国赫特福德郡
- 代理机构: 深圳创友专利商标代理有限公司
- 代理商 李广
- 优先权: 0522471.2 2005.11.03 GB
- 国际申请: PCT/GB2006/004107 2006.11.02
- 国际公布: WO2007/052039 EN 2007.05.10
- 进入国家日期: 2008-03-31
- 主分类号: B81B3/00
- IPC分类号: B81B3/00 ; G11C23/00 ; G11C11/50 ; H01H1/00
摘要:
本发明提供一种非易失性存储器装置和制造非易失性微机电存储器单元的方法。所述方法包含通过使用原子层沉积在衬底上沉积第一牺牲材料层的第一步骤。所述方法的第二步骤是在所述第一牺牲材料层的至少一部分上方提供悬臂(101)。第三步骤是通过使用原子层沉积在所述第一牺牲材料层上方和所述悬臂的一部分上方沉积第二牺牲材料层,使得所述悬臂的一部分由牺牲材料包围。第四步骤是提供又一材料层(107),其覆盖所述第二牺牲材料层的至少一部分。最终,最后步骤是蚀刻掉包围所述悬臂的所述牺牲材料,进而界定其中悬置所述悬臂的空腔(102)。
公开/授权文献
- CN101277897B 制造非易失性微机电存储器单元的方法 公开/授权日:2011-07-20