发明授权
CN101298325B 一种低压微波辐射碳纳米管羟基改性的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种低压微波辐射碳纳米管羟基改性的方法
- 专利标题(英): Low-voltage microwave radiation carbon nanotube hydroxyl modification method
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申请号: CN200810064757.1申请日: 2008-06-18
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公开(公告)号: CN101298325B公开(公告)日: 2010-11-10
- 发明人: 王鹏 , 史书杰 , 曹海雷
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- 代理商 金永焕
- 主分类号: C01B31/02
- IPC分类号: C01B31/02
摘要:
一种低压微波辐射碳纳米管羟基改性的方法,它涉及一种碳纳米管羟基改性的方法。它解决了现有技术对碳纳米管进行改性存在工艺复杂、反应时间长、能耗大及成本高的问题。改性方法:一、将碳纳米管浸没于碱溶液中,在微波、低压条件下加热,经冷却、沉淀后去除上层碱溶液,得沉淀物;二、沉淀物经清洗、烘干即得羟基改性的碳纳米管。本发明大大缩短了反应时间、工艺简单、耗能低、成本低。
公开/授权文献
- CN101298325A 一种低压微波辐射碳纳米管羟基改性的方法 公开/授权日:2008-11-05